01、一种gai善ESD防护能力的JFET
002、具有由沟槽隔离限定的JFET宽度的半导体器件
003、JFET器件及其制造方法
004、一种具有整流的碳化硅JFET栅结构的制备方法
005、一种恒流JFET器件及其制造方法
006、用于具有自对准源极和栅极的氮化镓垂直JFET的方法和系统
007、在再生长栅极上具有栅电极和源电极的垂直GaN JFET
008、一种JFET器件及其制造方法
009、一种JFET器件及其制造方法
010、单片集成的垂直JFET和肖特基二极管
011、一种JFET器件及其制造方法
012、高压 ED NMOS 元件嵌入高压横向 NJFET
013、利用再生长沟道的GaN垂直JFET的方法和系统
014、利用再生长栅极的GaN垂直JFET的方法和系统
015、一种JFET器件及其制造方法
016、一种低电容JFET器件及其制造方法
017、一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法
018、与包括 JFET 部分的二极管器件有关的方法和设备
019、一种互补结型场效应晶体管c-JFET器件及其后栅极的制造方法
020、一种互补结型场效应晶体管c-JFET器件及其后栅极的制造方法
021、一种双极与P沟自对准JFET管兼容工艺
022、具有选择性掺杂的JFET区的功率半导体器件及形成这样的器件的相关方法
023、JFET及其制造方法以及使用该JFET的微型逆变器
024、常关半导体开关和常关JFET
025、一种JFET器件及其形成方法
026、带有MOSFET和低正向电压的等效二极管增强型JFET的半导体器件及其制备方法
027、JFET晶体管及其形成方法
028、JFET晶体管及其形成方法
029、耗尽型顶栅结型场效应晶体管(DTGJFET)
030、一种N沟道JFET集成放大器的制造方法
031、P沟道JFET与双极混合集成电路
032、0.5微米垂直JFET工艺
033、P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺
034、具有四端子JFET器件的电路配置
035、用于小线宽和下降的线宽的JFET的可扩展工艺和结构
036、硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管(JFET)制造方法
