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2．CN00109107.7B 一种高温碳化硅半导体材料制造装置 1-18.PDF
3．CN00133595.2B 半导体材料外yan的废气中所含砷微粒的回收设备 1-7.PDF
4．CN00136081.7B 半导体陶瓷材料和使用它的电子元器件 1-10.PDF
5．CN00249702.6A 碲锌镉半导体材料的欧姆电极 1-5.PDF
6．CN00258011.XA 变温的高阻半导体材料光电测试装置 1-7.PDF
7．CN00806607.8B 用于半导体封铸的树脂组合物、由所述材料获得的半导体设备以及制造半导体设备的方法 1-113.PDF
8．CN01102886.6A 半导体器件的制造方法及其使用的填埋材料和半导体器件 1-18.PDF
9．CN01107723.9B 一种高效半导体纳米材料的制备方法及其应用 1-10.PDF
10．CN01114652.4B 半导体衬底晶体材料生长真空系统及其控制系统 1-16.PDF
11．CN01141282.8B 晶体半导体材料的制造方法以及制造半导体器件的方法 1-19.PDF
12．CN01143233.0B 一种晶体半导体材料系列A SUB 2 SUB MM' SUB 3 SUB Q SUB 6 SUB 1-12.PDF
13．CN01143895.9B 在半导体器件上形成多孔介电材料层的方法及形成的器件 1-18.PDF
14．CN01238855.6A 基于纳米半导体材料的电致变色防伪标识 1-5.PDF
15．CN01802185.9B 半导体材料的激光切割 1-20.PDF
16．CN01809275.6B 在基体或块体特别是由半导体材料制成的基体或块体中切制出至少一个薄层的方法 1-15.PDF
17．CN01809456.2B 具有可控制导电性的半导体材料及器件的制造 1-15.PDF
18．CN01809612.3B 环氧树脂用红磷系阻燃剂、环氧树脂用红磷系阻燃剂组合物、它们的制造方法、半导体密封材料用环氧树脂组合物密封材料及半导体装置 1-59.PDF
19．CN01816599.0B 树脂密封型半导体装置及使用的芯片焊接材料和密封材料 1-50.PDF
20．CN01820409.0B 作为在半导体器件中的层内和层间绝缘体的介电常数材料及其制造方法、以及包含该材料的电子器件 1-42.PDF
21．CN01820693.XB 半导体材料的激光加工 1-13.PDF
22．CN01821557.2B 半导体工艺设备的氮化硼 氧化钇复合材料部件及其制造方法 1-10.PDF
23．CN01821842.3A 用于生长单晶半导体材料的拉晶机和方法 1-17.PDF
24．CN01823915.3B 用于合成半导体金刚石的石墨材料以及由该材料制备的半导体金刚石 1-9.PDF
25．CN01823934.XB 用于电镀操作的阳极以及在半导体基体上形成材料的方法 1-16.PDF
26．CN02109367.9B 块纳米半导体PbTe材料的高压合成方法 1-5.PDF
27．CN02111828.0A 一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法 1-10.PDF
28．CN02113082.5A 离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体材料的方法 1-6.PDF
29．CN02113088.4B 离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体材料的方法 1-6.PDF
30．CN02118166.7B 一种制备CdS一维半导体纳米材料的方法 1-9.PDF
31．CN02121115.9B 合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法 1-7.PDF
32．CN02138423.1B 纳米磷化物半导体材料的水热合成制备方法 1-6.PDF
33．CN02140515.8B 半导体片两面实施材料去除切削的方法 1-31.PDF
34．CN02147765.5B 空穴传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法 1-5.PDF
35．CN02147766.3B 电子传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法 1-5.PDF
36．CN02234524.8A 半导体材料电信号测试装置 1-6.PDF
37．CN02813163.0B 半导体材料的膜或层、及制造该膜或层的方法 1-22.PDF
38．CN02818197.2A 利用X射线检查半导体材料的晶片的方法 1-7.PDF
39．CN02818923.XB 有机半导体材料及使用该材料的有机半导体元件 1-21.PDF
40．CN02819377.6B 用于半导体材料处理系统的一体化机架 1-71.PDF
41．CN02820488.3B 半导体材料处理系统 1-68.PDF
42．CN02825898.3B 超掺杂半导体材料的方法以及超掺杂的半导体材料和器件 1-84.PDF
43．CN02827556.XB 使用一维半导体材料作为化学敏感材料及其在接近室温下生产和操作 1-30.PDF
44．CN03101976.5A 半导体密封材料用黑色复合颗粒和半导体密封材料 1-53.PDF
45．CN03121822.9B 一种具有AlAs氧化层的半导体材料 1-15.PDF
46．CN03121825.3B 一种制备在GaAs基底上生长含Al外yan层半导体材料的方法 1-10.PDF
47．CN03123115.2A 用于有机发光装置的半导体空穴注入材料 1-18.PDF
48．CN03125563.9B 制造晶体半导体材料的方法和制作半导体器件的方法 1-39.PDF
49．CN03127575.3B 阻燃剂环氧树脂组合物，使用该组合物的半导体封装材料，以及树脂封装的半导体器件 1-11.PDF
50．CN03129508.8B 提高InAs GaAs量子点半导体材料发光效率的方法 1-9.PDF
51．CN03139039.0B 亚纳米复合法制备氧化锌基磁性半导体材料的方法 1-7.PDF
52．CN03140794.3A 半导体衬底晶体材料生长真空系统 1-7.PDF
53．CN03145199.3B 一种高效半导体纳米材料的应用 1-10.PDF
54．CN03800995.1B 掺杂的有机半导体材料以及其制备方法 1-22.PDF
55．CN03804278.9B 一种用于制造由单晶半导体材料制成的无支撑衬底的方法 1-22.PDF
56．CN03811788.6B 有机半导体材料、有机半导体构造物和有机半导体器件 1-49.PDF
57．CN03813609.0A 作为半导体器件中的层内或层间介质的介电常数材料 1-29.PDF
58．CN03816211.3B 转移应变半导体材料层的方法 1-26.PDF
59．CN03819794.4B 减少半导体材料中的缺陷 1-10.PDF
60．CN03823519.6B 用于半导体材料晶片的快速退火处理工艺 1-10.PDF
61．CN200310107202.8B 铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法 1-9.PDF
62．CN200310112601.3B 掺锰硅基磁性半导体薄膜材料及制法 1-9.PDF
63．CN200310117195.XB 具有电流控制电阻效应的掺杂半导体 绝缘体 半导体材料 1-7.PDF
64．CN200310119962.0B 树脂封装方法及装置、半导体器件及其制造方法及树脂材料 1-16.PDF
65．CN200310121490.2B 一种半导体材料横向周期搀杂的方法及其装置 1-7.PDF
66．CN200310122689.7B 形成半导体材料晶片的方法及其结构 1-10.PDF
67．CN200310122744.2B 低温溶剂法制备半导体量子点材料的方法 1-9.PDF
68．CN200310122883.5B 一种用于半导体材料特性表征的方法及其系统 1-11.PDF
69．CN200320129499.3A 一种化合物半导体材料多晶合成的装置 1-8.PDF
70．CN200380100952.0B 处理半导体材料的方法 1-22.PDF
71．CN200380101285.8B 半导体装置用密封材料及其制造方法 1-25.PDF
72．CN200380103483.8A 半导体材料纳米线的分散系 1-15.PDF
73．CN200380104281.5B 半导体用合金材料、使用该合金材料的半导体芯片及其制备方法 1-32.PDF
74．CN200380108706.XB 改进有机半导体材料及与其有关的改进 1-20.PDF
75．CN200380110309.6B 采用绝缘体－半导体转换材料层作为沟道材料的场效应晶体管及其制造方法 1-13.PDF
76．CN200410005795.1B 半导体衬底晶体材料生长真空系统 1-7.PDF
77．CN200410009856.1A 应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 1-13.PDF
78．CN200410010794.6B 在液－液界面上纳米半导体发光材料的合成方法 1-9.PDF
79．CN200410013394.0B 纳米晶热电半导体材料的非晶晶化制备方法 1-7.PDF
80．CN200410016462.9B 基于半导体材料的纳米线制作方法 1-23.PDF
81．CN200410016840.3B 在硅片上复合ZnO纳米线的半导体基板材料及其制备方法 1-6.PDF
82．CN200410017195.7B 完整的间接带隙半导体材料参数拟合方法 1-5.PDF
83．CN200410020774.7A 自限式半导体直流电加热材料防寒低压供油管的生产工艺 1-6.PDF
84．CN200410024905.9A 并五苯衍生物作为半导体材料的有机场效应晶体管及其制备方法 1-6.PDF
85．CN200410037734.3A 涂布式半导体阻kang发热材料的制备方法 1-12.PDF
86．CN200410044325.6B 一系列半导体材料 1-6.PDF
87．CN200410056519.8B 掺杂的有机半导体材料以及它们的制造方法 1-11.PDF
88．CN200410057151.7A 磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法 1-18.PDF
89．CN200410061353.9A 复合氧化物半导体纳米材料的制备方法 1-6.PDF
90．CN200410072301.1B 半导体材料的线切割液 1-6.PDF
91．CN200410077160.2B gai善有缺陷的半导体材料质量的方法 1-16.PDF
92．CN200410084568.2A 纳米半导体引发制备聚合物 无机纳米复合材料粉体的方法 1-8.PDF
93．CN200410092231.6A 包括以多孔半导体材料矩阵为形式的燃烧室的发电装置 1-7.PDF
225．CN200680022847.3B 半导体材料及其制造方法 1-51.PDF
226．CN200680024137.4B 用于从半导体晶片去除材料的方法及装置 1-23.PDF
227．CN200680025648.8A 液晶性有机半导体材料及使用其的半导体元件或信息记录介质 1-26.PDF
