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绝缘砷化镓工艺专利技术大全

2020/3/17

  1、] 生长低错非掺杂半绝缘砷化镓晶的装置

  [2、] 一种砷化镓基半导体氧化物绝缘衬底及其制备方法

  [3、] 6英寸半绝缘砷化镓EL2浓度的测量方法

  [4、] 一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备

  5-WX81872 制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品

  6-WX81872 一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法

  7-WX81872 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓掺碳的方法

  8-WX81872 一种砷化镓基半导体-氧化物绝缘衬底

  9-WX81872 一种生长长尺寸半绝缘砷化镓晶的装置

  10-WX81872 压冷壁半绝缘砷化镓晶生长炉

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曹经理06:53:37
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