此商品共包含专利技术资料 8 项【资料包大小:43 MB】 目录描述中所有资料保证一项不缺。
1 电子器件的石墨烯栅极
2 具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件
3 具有局部化底栅和栅极电介质的石墨烯或碳纳米管器件
4 具自对准接触和栅极的石墨烯 纳米结构FET
5 石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质
6 用于碱基序列检测的多栅极石墨烯场效应管结构及制备方法
7 用于石墨烯MOSFET的氮化物栅极电介质
8 在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法
济宁市济州餐饮管理有限公司
2024/2/16
此商品共包含专利技术资料 8 项【资料包大小:43 MB】 目录描述中所有资料保证一项不缺。
1 电子器件的石墨烯栅极
2 具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件
3 具有局部化底栅和栅极电介质的石墨烯或碳纳米管器件
4 具自对准接触和栅极的石墨烯 纳米结构FET
5 石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质
6 用于碱基序列检测的多栅极石墨烯场效应管结构及制备方法
7 用于石墨烯MOSFET的氮化物栅极电介质
8 在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法