本套资料一共448项、整套资料大小为949M；发送的数据与目录一一对应。 001、一种化合物半导体器件的去嵌入方法002、氮基化合物半导体的生长方法和设备 003、带有掺杂的多层量子阱多元化合物半导体高效率发光组件 004、化合物半导体衬底、半导体器件及其制造方法 005、一种在硅片上集成化合物半导体器件的工艺 006、使用晶格调整的晶畴匹配外延的化合物半导体的外延生长 007、GaN基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及生长方法008、一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件及其制备方法 009、化合物半导体薄膜的制作方法及具备该化合物半导体薄膜的太阳能电池010、一种III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法[ 011、用于产生掺杂有钠的五元化合物半导体CZTSSE的方法 012、用于常关化合物半导体晶体管的栅极堆叠 013、与化合物半导体的铜互连相关的改善的结构、装置和方法014、化合物半导体器件及其制造方法[ 015、化合物半导体器件及其制造方法 016、CZTS系化合物半导体和光电转换元件 017、GaN系化合物半导体的制造方法以及GaN系化合物半导体 018、一种化合物半导体元件 019、一种化合物半导体元件及其制备方法020、硅衬底上化合物半导体外延层生长方法及其器件结构021、化合物半导体静电保护元件022、化合物半导体静电保护元件023、化合物半导体器件及其制造方法024、具有化合物半导体与元素半导体的单片式异质集成的结构025、化合物半导体薄膜形成用油墨及其制造方法026、化合物半导体的制造装置以及晶片保持体027、一种提高Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体LED芯片抗静电能力的外延生长方法028、基于ICP的化合物半导体的外延生长装置及方法029、一种化合物半导体衬底的制备方法030、化合物半导体器件和其制造方法031、化合物半导体器件及其制造方法032、化合物半导体器件及其制造方法033、化合物半导体器件及其制造方法034、化合物半导体器件及其制造方法035、化合物半导体器件及其制造方法036、化合物半导体器件及其制造方法037、化合物半导体器件及其制造方法038、化合物半导体器件及其制造方法039、化合物半导体器件及其制造方法040、氮化物系化合物半导体元件及其制造方法041、双向异质结化合物半导体保护装置及其形成方法042、异质结化合物半导体保护夹及其形成方法043、氮化镓类化合物半导体发光元件及包括该氮化镓类化合物半导体发光元件的光源装置044、化合物半导体集成电路045、通过使用溶剂热方法制备硫化物化合物半导体的方法及硫化物化合物半导体的棒状晶体046、一种低温下化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法047、一种基于晶体硅材料的化合物半导体异质结太阳电池048、新的化合物半导体及其用途049、新的化合物半导体及其用途050、化合物半导体器件及其制造方法051、化合物半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器052、新的化合物半导体及其用途053、新的化合物半导体及其用途054、氮化物系化合物半导体元件055、具有金属接触件的III-V族化合物半导体器件及其制造方法056、新的化合物半导体及其用途057、新的化合物半导体及其用途058、化合物半导体器件及其制造方法059、新的化合物半导体及其用途060、新的化合物半导体及其用途061、新的化合物半导体及其用途062、一种化合物半导体晶圆结构063、新的化合物半导体及其用途064、化合物半导体组件晶圆整合结构065、化合物半导体衬底066、新型化合物半导体及其应用067、具有自对准栅的化合物半导体晶体管068、化合物半导体薄膜太阳能电池及其制造方法069、化合物半导体装置及其制造方法070、制备五元化合物半导体CZTSSe的方法和薄膜太阳能电池071、第III族氮化物化合物半导体发光器件及其制造方法072、用于化合物半导体晶体管的栅极过压保护073、化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法074、化合物半导体器件及其制造方法075、化合物半导体器件及其制造方法076、化合物半导体器件及其制造方法077、化合物半导体器件及其制造方法078、化合物半导体器件及其制造方法079、化合物半导体器件及其制造方法080、化合物半导体器件及其制造方法081、化合物半导体单晶基板及其制造方法082、一种化合物半导体的金属化结构083、化合物半导体器件及其制造方法084、化合物半导体器件及其制造方法085、用于化合物半导体场效应晶体管的过电压保护器件086、常关闭型化合物半导体隧道晶体管087、三五族化合物半导体组件的铜金属连接线088、常温下原位控制合成硫铜银三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法089、一种化合物半导体的金属化结构090、化合物半导体器件及其制造方法091、具有掩埋式场板的化合物半导体器件092、碳包覆Ⅴ-Ⅵ族化合物半导体纳米片及其制备方法093、化合物半导体器件及其制造方法094、化合物半导体及其制备方法以及使用该化合物半导体的热电转换器件095、用于减小高-k介电层和III-V族化合物半导体器件之间的费米能级牵制的（110）表面定向096、用于释放可印刷化合物半导体器件的材料和过程097、包括III-V 族化合物半导体层的半导体器件及其制造方法098、化合物半导体器件及其制造方法以及电子电路099、一种带有漂移区电场成型技术的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件100、化合物半导体薄膜制作用油墨、使用该油墨获得的化合物半导体薄膜、具备该化合物半导体薄膜的太阳能电池及该太阳能电池的制造方法101、化合物半导体的制造方法102、氮化镓类化合物半导体发光元件和具有该发光元件的光源103、化合物半导体器件及其制造方法104、化合物半导体器件及其制造方法105、化合物半导体器件及其制造方法106、化合物半导体装置及其制造方法107、化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法108、化合物半导体器件及其制造方法109、化合物半导体器件及其制造方法110、化合物半导体器件及其制造方法111、制造化合物半导体器件的方法112、化合物半导体器件及其制造方法113、化合物半导体器件及其制造方法114、化合物半导体器件及其制造方法115、多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体116、多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体117、使用溅射和蒸发功能形成硫族化合物半导体材料的方法和系统118、化合物半导体装置及其制造方法119、化合物半导体器件及其制造方法120、化合物半导体器件及其制造方法121、用于III-V化合物半导体电池的栅格设计122、化合物半导体叠层薄膜太阳电池123、化合物半导体器件及其制造方法124、一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法125、一种化合物半导体太阳能电池126、化合物半导体发光元件的制造方法127、化合物半导体器件及其制造方法128、化合物半导体装置及其制造方法129、氮化合物半导体发光元件及其制造方法130、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶片及其清洗方法131、一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法132、一种化合物半导体薄膜的自组装生长方法133、氮化镓系化合物半导体发光二极管134、多结化合物半导体太阳能电池135、化合物半导体装置及其制造方法136、化合物半导体器件及其制造方法137、溅射靶、化合物半导体薄膜、具有化合物半导体薄膜的太阳能电池以及化合物半导体薄膜的制造方法138、化合物半导体晶片的加工方法以及加工装置139、化合物半导体器件140、化合物半导体装置及其制造方法141、化合物半导体器件及其制造方法142、化合物半导体器件及其制造方法143、化合物半导体器件及其制造方法以及电源144、化合物半导体器件145、化合物半导体器件及其制造方法146、单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构147、制造化合物半导体器件的方法和洗涤剂148、三族氮化合物半导体紫外光发光二极管149、化合物半导体器件及其制造方法150、化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法151、化合物半导体器件、制造器件的方法和电气器件152、氮化镓系化合物半导体发光元件153、化合物半导体器件及其制造方法154、化合物半导体器件及其制造方法155、化合物半导体器件及其制造方法156、化合物半导体器件及其制造方法157、化合物半导体结晶的制造方法、电子器件的制造方法和半导体基板158、化合物半导体器件及其制造方法159、化合物半导体器件及其制造方法160、化合物半导体器件及其制造方法161、化合物半导体器件及其制造方法162、氮化镓系化合物半导体发光元件163、研磨剂、制造化合物半导体的方法和制造半导体器件的方法164、化合物半导体型太阳能电池用基板165、化合物半导体发光元件的制造方法166、氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及其生长方法以及包括其的LED显示装置...................387、基于氮化物的化合物半导体晶体衬底结构及其制造方法388、化合物半导体衬底的制造方法389、化合物半导体装置390、化合物半导体装置的制造方法391、氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构392、化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件393、用于第Ⅲ族氮化物化合物半导体器件的n-电极394、化合物半导体晶片的制备方法395、第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件396、第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件397、生产第Ⅲ族氮化物化合物半导体器件的方法398、化合物半导体装置的制造方法399、化合物半导体装置400、氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 448、 ......本套资料一共448项；篇幅限制只显示前400项，如需完整目录请联系客服。