1．CN00108074.1B 使半导体晶片适于使用液态导电材料的方法 1-15.PDF 2．CN00109107.7B 一种高温碳化硅半导体材料制造装置 1-18.PDF 3．CN00133595.2B 半导体材料外yan的废气中所含砷微粒的回收设备 1-7.PDF 4．CN00136081.7B 半导体陶瓷材料和使用它的电子元器件 1-10.PDF 5．CN00249702.6A 碲锌镉半导体材料的欧姆电极 1-5.PDF 6．CN00258011.XA 变温的高阻半导体材料光电测试装置 1-7.PDF 7．CN00806607.8B 用于半导体封铸的树脂组合物、由所述材料获得的半导体设备以及制造半导体设备的方法 1-113.PDF 8．CN01102886.6A 半导体器件的制造方法及其使用的填埋材料和半导体器件 1-18.PDF 9．CN01107723.9B 一种高效半导体纳米材料的制备方法及其应用 1-10.PDF 10．CN01114652.4B 半导体衬底晶体材料生长真空系统及其控制系统 1-16.PDF 11．CN01141282.8B 晶体半导体材料的制造方法以及制造半导体器件的方法 1-19.PDF 12．CN01143233.0B 一种晶体半导体材料系列A SUB 2 SUB MM' SUB 3 SUB Q SUB 6 SUB 1-12.PDF 13．CN01143895.9B 在半导体器件上形成多孔介电材料层的方法及形成的器件 1-18.PDF 14．CN01238855.6A 基于纳米半导体材料的电致变色防伪标识 1-5.PDF 15．CN01802185.9B 半导体材料的激光切割 1-20.PDF 16．CN01809275.6B 在基体或块体特别是由半导体材料制成的基体或块体中切制出至少一个薄层的方法 1-15.PDF 17．CN01809456.2B 具有可控制导电性的半导体材料及器件的制造 1-15.PDF 18．CN01809612.3B 环氧树脂用红磷系阻燃剂、环氧树脂用红磷系阻燃剂组合物、它们的制造方法、半导体密封材料用环氧树脂组合物密封材料及半导体装置 1-59.PDF 19．CN01816599.0B 树脂密封型半导体装置及使用的芯片焊接材料和密封材料 1-50.PDF 20．CN01820409.0B 作为在半导体器件中的层内和层间绝缘体的介电常数材料及其制造方法、以及包含该材料的电子器件 1-42.PDF 21．CN01820693.XB 半导体材料的激光加工 1-13.PDF 22．CN01821557.2B 半导体工艺设备的氮化硼 氧化钇复合材料部件及其制造方法 1-10.PDF 23．CN01821842.3A 用于生长单晶半导体材料的拉晶机和方法 1-17.PDF 24．CN01823915.3B 用于合成半导体金刚石的石墨材料以及由该材料制备的半导体金刚石 1-9.PDF 25．CN01823934.XB 用于电镀操作的阳极以及在半导体基体上形成材料的方法 1-16.PDF 26．CN02109367.9B 块纳米半导体PbTe材料的高压合成方法 1-5.PDF 27．CN02111828.0A 一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法 1-10.PDF 28．CN02113082.5A 离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体材料的方法 1-6.PDF 29．CN02113088.4B 离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体材料的方法 1-6.PDF 30．CN02118166.7B 一种制备CdS一维半导体纳米材料的方法 1-9.PDF 31．CN02121115.9B 合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法 1-7.PDF 32．CN02138423.1B 纳米磷化物半导体材料的水热合成制备方法 1-6.PDF 33．CN02140515.8B 半导体片两面实施材料去除切削的方法 1-31.PDF 34．CN02147765.5B 空穴传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法 1-5.PDF 35．CN02147766.3B 电子传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法 1-5.PDF 36．CN02234524.8A 半导体材料电信号测试装置 1-6.PDF 37．CN02813163.0B 半导体材料的膜或层、及制造该膜或层的方法 1-22.PDF 38．CN02818197.2A 利用X射线检查半导体材料的晶片的方法 1-7.PDF 39．CN02818923.XB 有机半导体材料及使用该材料的有机半导体元件 1-21.PDF 40．CN02819377.6B 用于半导体材料处理系统的一体化机架 1-71.PDF 41．CN02820488.3B 半导体材料处理系统 1-68.PDF 42．CN02825898.3B 超掺杂半导体材料的方法以及超掺杂的半导体材料和器件 1-84.PDF 43．CN02827556.XB 使用一维半导体材料作为化学敏感材料及其在接近室温下生产和操作 1-30.PDF 44．CN03101976.5A 半导体密封材料用黑色复合颗粒和半导体密封材料 1-53.PDF 45．CN03121822.9B 一种具有AlAs氧化层的半导体材料 1-15.PDF 46．CN03121825.3B 一种制备在GaAs基底上生长含Al外yan层半导体材料的方法 1-10.PDF 47．CN03123115.2A 用于有机发光装置的半导体空穴注入材料 1-18.PDF 48．CN03125563.9B 制造晶体半导体材料的方法和制作半导体器件的方法 1-39.PDF 49．CN03127575.3B 阻燃剂环氧树脂组合物，使用该组合物的半导体封装材料，以及树脂封装的半导体器件 1-11.PDF 50．CN03129508.8B 提高InAs GaAs量子点半导体材料发光效率的方法 1-9.PDF 51．CN03139039.0B 亚纳米复合法制备氧化锌基磁性半导体材料的方法 1-7.PDF 52．CN03140794.3A 半导体衬底晶体材料生长真空系统 1-7.PDF 53．CN03145199.3B 一种高效半导体纳米材料的应用 1-10.PDF 54．CN03800995.1B 掺杂的有机半导体材料以及其制备方法 1-22.PDF 55．CN03804278.9B 一种用于制造由单晶半导体材料制成的无支撑衬底的方法 1-22.PDF 56．CN03811788.6B 有机半导体材料、有机半导体构造物和有机半导体器件 1-49.PDF 57．CN03813609.0A 作为半导体器件中的层内或层间介质的介电常数材料 1-29.PDF 58．CN03816211.3B 转移应变半导体材料层的方法 1-26.PDF 59．CN03819794.4B 减少半导体材料中的缺陷 1-10.PDF 60．CN03823519.6B 用于半导体材料晶片的快速退火处理工艺 1-10.PDF 61．CN200310107202.8B 铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法 1-9.PDF 62．CN200310112601.3B 掺锰硅基磁性半导体薄膜材料及制法 1-9.PDF 63．CN200310117195.XB 具有电流控制电阻效应的掺杂半导体 绝缘体 半导体材料 1-7.PDF 64．CN200310119962.0B 树脂封装方法及装置、半导体器件及其制造方法及树脂材料 1-16.PDF 65．CN200310121490.2B 一种半导体材料横向周期搀杂的方法及其装置 1-7.PDF 66．CN200310122689.7B 形成半导体材料晶片的方法及其结构 1-10.PDF 67．CN200310122744.2B 低温溶剂法制备半导体量子点材料的方法 1-9.PDF 68．CN200310122883.5B 一种用于半导体材料特性表征的方法及其系统 1-11.PDF 69．CN200320129499.3A 一种化合物半导体材料多晶合成的装置 1-8.PDF 70．CN200380100952.0B 处理半导体材料的方法 1-22.PDF 71．CN200380101285.8B 半导体装置用密封材料及其制造方法 1-25.PDF 72．CN200380103483.8A 半导体材料纳米线的分散系 1-15.PDF 73．CN200380104281.5B 半导体用合金材料、使用该合金材料的半导体芯片及其制备方法 1-32.PDF 74．CN200380108706.XB 改进有机半导体材料及与其有关的改进 1-20.PDF 75．CN200380110309.6B 采用绝缘体－半导体转换材料层作为沟道材料的场效应晶体管及其制造方法 1-13.PDF 76．CN200410005795.1B 半导体衬底晶体材料生长真空系统 1-7.PDF 77．CN200410009856.1A 应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 1-13.PDF 78．CN200410010794.6B 在液－液界面上纳米半导体发光材料的合成方法 1-9.PDF 79．CN200410013394.0B 纳米晶热电半导体材料的非晶晶化制备方法 1-7.PDF 80．CN200410016462.9B 基于半导体材料的纳米线制作方法 1-23.PDF 81．CN200410016840.3B 在硅片上复合ZnO纳米线的半导体基板材料及其制备方法 1-6.PDF 82．CN200410017195.7B 完整的间接带隙半导体材料参数拟合方法 1-5.PDF 83．CN200410020774.7A 自限式半导体直流电加热材料防寒低压供油管的生产工艺 1-6.PDF 84．CN200410024905.9A 并五苯衍生物作为半导体材料的有机场效应晶体管及其制备方法 1-6.PDF 85．CN200410037734.3A 涂布式半导体阻kang发热材料的制备方法 1-12.PDF 86．CN200410044325.6B 一系列半导体材料 1-6.PDF 87．CN200410056519.8B 掺杂的有机半导体材料以及它们的制造方法 1-11.PDF 88．CN200410057151.7A 磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法 1-18.PDF 89．CN200410061353.9A 复合氧化物半导体纳米材料的制备方法 1-6.PDF 90．CN200410072301.1B 半导体材料的线切割液 1-6.PDF 91．CN200410077160.2B gai善有缺陷的半导体材料质量的方法 1-16.PDF 92．CN200410084568.2A 纳米半导体引发制备聚合物 无机纳米复合材料粉体的方法 1-8.PDF 93．CN200410092231.6A 包括以多孔半导体材料矩阵为形式的燃烧室的发电装置 1-7.PDF 94．CN200410095119.8B 用于激光标记半导体晶片、模具和元件的可喷射粘合剂材料 1-12.PDF 95．CN200410099025.8B 一种半导体材料生长系统的滑动机构 1-8.PDF 96．CN200410103374.2A 采用突变金属－绝缘体转变半导体材料的二端子半导体器件 1-46.PDF 97．CN200480007247.0B 半导体研磨浆料精制用原材料、半导体研磨浆料精制用模块和半导体研磨浆料的精制方法 1-30.PDF 98．CN200480007799.1A 用于减少半导体材料中杂质的装置和方法 1-19.PDF 243．CN200710007933.3A 用于半导体材料处理系统的一体化机架 1-72.PDF ...... 1378．CN88104804.6B 新型半导体基础材料 1-5.PDF 1379．CN89101544.2B 对半导体材料进行热处理的工艺和设备 1-14.PDF 1380．CN89102574.XA 钛酸钡系半导体陶瓷材料及制造方法 1-4.PDF 1381．CN90105603.0B 一种获得半导体异质结与超晶格材料的方法及设备 1-20.PDF