001、具有降低边缘刻蚀速率之顶部圆盘的等离子体刻蚀设备

　　002、使用低温蚀刻剂沉积与等离子体后处理的方向性二氧化硅蚀刻

　　003、等离子体刻蚀方法

　　004、于薄膜框架晶圆应用中利用部分预固化UV离型切割胶带的激光与等离子体蚀刻的晶圆切割

　　005、等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置

　　006、等离子体刻蚀设备及方法

　　007、一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法

　　008、用于以激光和等离子体蚀刻的基板切割的遮罩残留物移除

　　009、等离子刻蚀设备

　　010、用于倒角蚀刻器的可调的上等离子体禁区环

　　011、等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

　　012、一种gai善48所M42300-1/UM型等离子体刻蚀机刻蚀效果的夹板

　　013、一种等离子体刻蚀设备

　　014、等离子蚀刻机上料架

　　015、用于高晶粒破裂强度与清洁侧壁的激光划线及等离子体蚀刻

　　016、用于晶圆切割的激光、等离子体蚀刻以及背面研磨方法

　　017、相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法

　　018、用于使用激光及等离子体蚀刻的晶圆切割的均匀遮蔽

　　019、使用双面UV可固化胶膜的激光与等离子体蚀刻晶圆切割

　　020、一种等离子体刻蚀基片的方法

　　021、等离子体刻蚀方法

　　022、一种等离子体刻蚀硅片夹具

　　023、等离子体蚀刻方法及等离子体处理装置

　　024、蚀刻方法和等离子体处理装置

　　025、等离子刻蚀设备

　　026、等离子蚀刻装置

　　027、一种gai善48所M42300-1/UM型等离子体刻蚀机刻蚀效果的fu助工艺

　　028、等离子体蚀刻方法

　　029、具有离子加速器的双室等离子体蚀刻器

　　030、等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置

　　031、等离子体蚀刻前处理光刻胶而形成特征的方法和装置

　　032、使用UV-可硬hua黏着膜的激光及等离子体蚀刻晶圆分割

　　033、用于等离子体干法蚀刻设备的成比例且均匀的受控气流传递

　　034、利用具有等离子体蚀刻的混合式多步骤激光划线工艺的晶圆切割

　　035、一种适应性耦合等离子刻蚀机

　　036、一种适应性耦合等离子刻蚀机

　　037、一种等离子体刻蚀硅片夹具

　　038、等离子体刻蚀机台

　　039、等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

　　040、一种干法刻蚀等离子损伤修复工艺

　　041、一种适应性耦合等离子刻蚀机

　　042、用于等离子体蚀刻室中的离子铣削的系统、方法和设备

　　043、一种双射频m脉m冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置

　　044、一种等离子体刻蚀装置及干法刻蚀设备

　　045、一种等离子体刻蚀设备进气装置

　　046、等离子蚀刻装置用硅部件及其制造方法

　　047、等离子体刻蚀方法

　　048、等离子体刻蚀AlSi的方法

　　049、一种等离子刻蚀用硅片夹具

　　050、一种用于感应耦合等离子体刻蚀机的信号过滤结构

　　051、等离子体蚀刻方法

　　052、用于等离子体刻蚀的聚焦环及具有其的等离子体刻蚀装置

　　053、等离子蚀刻的方法

　　054、用于等离子体蚀刻腔室的TCCT匹配电路

　　055、等离子蚀刻方法

　　056、一种等离子体刻蚀设备进气装置

　　057、一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法

　　058、一种gai善等离子体刻蚀工艺的方法

　　059、使用混合式分裂束激光划线处理及等离子体蚀刻的晶圆切割

　　060、使用具有等离子体蚀刻的混合式电流激光划线制程的晶片切割

　　061、使用基板载具的混合激光与等离子体蚀刻晶圆切割

　　062、一种等离子体刻蚀方法及硅浅沟槽隔离方法

　　063、使用可物理性移除的遮罩的激光及等离子体蚀刻晶片切割

　　064、使用可水溶管芯附接膜的激光及等离子体蚀刻晶圆切割

　　065、一种等离子体刻蚀设备

　　066、一种等离子刻蚀设备的基片定位升降装置

　　067、一种等离子体刻蚀设备的腔室内衬

　　068、加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻

　　069、等离子体刻蚀系统的阻k抗k匹配方法

　　070、一种等离子刻蚀方法

　　071、用于使用激光划线和等离子体蚀刻的器件裁切的原位沉积掩模层

　　072、融合函数型数据描述的等离子刻蚀过程的故障检测方法

　　073、用于以激光及等离子体蚀刻切割基板的多层掩模

　　074、通过激光与等离子体蚀刻的基板切割所用的水溶性遮罩

　　075、等离子体刻蚀装置及其刻蚀方法

　　076、等离子体刻蚀装置

　　077、一种干法等离子刻蚀机的反应腔

　　078、控制斜面边缘蚀刻等离子体室中的边缘排除的气体调节

　　079、等离子蚀刻装置

　　080、一种支撑针及等离子刻蚀设备

　　081、一种供气均匀的等离子体刻蚀装置及其中的气体供应装置

　　082、高密度等离子体化学气相沉积设备腔体刻蚀清洗方法

　　083、一种等离子刻蚀设备的基片定位升降装置

　　084、等离子体蚀刻装置部件及其制造方法

　　085、一种等离子体刻蚀设备的腔室内衬

　　086、一种干法等离子刻蚀机的反应腔

　　087、等离子体刻蚀机的装载系统

　　088、一种等离子体刻蚀机的传片系统

　　089、等离子体刻蚀设备及刻蚀方法

　　090、一种控制晶圆温度的等离子体刻蚀腔室及其方法

　　091、一种等离子体刻蚀方法

　　092、一种等离子体刻蚀机的传片系统

　　093、新型等离子体刻蚀机及其进气机构

　　094、真空等离子刻蚀反应腔体设备

　　095、等离子体刻蚀机的装载系统

　　096、一种等离子体沉积及刻蚀系统

　　097、一种等离子刻蚀腔体表面防护涂层的制备方法

　　098、等离子体刻蚀处理装置

　　306、耐久性优异的等离子体蚀刻用硅电极板

　　307、评价等离子蚀刻工艺能力的方法

　　308、具有等离子体源线圈的等离子体室及使用该等离子体室蚀刻晶片的方法

　　309、等离子体处理方法和等离子体蚀刻方法

　　310、用于减少等离子体反应器蚀刻速率漂移的温控热边缘环组件

　　311、等离子蚀刻设备

　　312、等离子蚀刻设备