1、一种VDMOS器件及其制作方法

　　2、一种VDMOS器件及其制作方法

　　3、平面型VDMOS器件制作方法

　　4、沟槽型VDMOS制造方法

　　5、沟槽型VDMOS制造方法

　　6、降低沟槽型VDMOS的导通电阻的方法

　　7、平面型VDMOS的制作方法

　　8、调节平面VDMOS开启电压的方法

　　9、集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构及其制作方法

　　10、一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法

　　11、一种P沟道VDMOS器件生产方法

　　12、一种沟槽结构的VDMOS

　　13、集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法

　　14、一种槽栅VDMOS

　　15、一种三维功率VDMOS器件及其集成方法

　　16、一种 VDMOS 器件的制作方法及VDMOS 器件

　　17、一种VDMOS器件及其制作方法

　　18、一种高可靠的VDMOS输入端静电泄露的制造方法

　　19、一种具有变K介质侧边的VDMOS器件

　　20、一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关

　　21、一种VDMOS器件的制作方法

　　22、一种浅沟槽半超结VDMOS器件及其制造方法

　　23、一种高压VDMOS器件及其制作方法

　　24、水平沟道VDMOS用侧墙结构自对准形成源区结构

　　25、超结VDMOS的制备方法及其超结VDMOS器件

　　26、VDMOS沟槽刻蚀方法及VDMOS

　　27、一种VDMOS器件及其制作方法

　　28、一种VDMOS器件及其漏极结构和制作方法

　　29、沟槽型VDMOS器件及其制作方法

　　30、一种耗尽型VDMOS器件及其制造方法

　　31、一种超结终端的VDMOS结构

　　32、平面VDMOS器件的制造方法

　　33、一种VDMOS器件及其制作方法

　　34、一种耗尽型VDMOS器件及其制作方法

　　35、一种VDMOS器件的元胞结构及其制作方法

　　36、一种平面型VDMOS器件及其制作方法

　　37、一种生产沟槽型VDMOS的方法及沟槽型VDMOS

　　38、一种平面型VDMOS器件及其制作方法

　　39、VDMOS晶体管以及其集成IC、开关电路

　　40、一种沟槽型VDMOS的沟槽结构及其制作方法

　　41、一种平面型VDMOS器件及其制造方法

　　42、一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件

　　43、在沟槽型VDMOS中制作防静电结构的方法

　　44、一种具有低米勒电容的VDMOS器件结构及其制备方法

　　45、一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法

　　46、一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法

　　47、一种具有抗单粒子效应的VDMOS器件

　　48、一种VDMOS晶体管结构及其制作方法

　　49、一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法

　　50、一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法

　　51、平面VDMOS器件的制造方法

　　52、一种VDMOS器件及其制造方法

　　53、一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法

　　54、一种碳化硅VDMOS器件

　　55、一种VDMOS器件及其制造方法

　　56、一种VDMOS的制造方法和VDMOS

　　57、VDMOS的制造方法和VDMOS

　　58、槽栅型化合物半导体功率VDMOS器件及提高其击穿电压的方法

　　59、一种VDMOS制作方法和一种VDMOS器件

　　60、平面VDMOS栅源漏电的处理方法

　　61、一种VDMOS管的制造方法和VDMOS

　　62、一种平面VDMOS环区制造方法和系统

　　63、一种VDMOS及其制作方法

　　64、一种沟槽型VDMOS制造方法和一种沟槽型VDMOS

　　65、一种制作平面型VDMOS的方法及平面型VDMOS

　　66、一种VDMOS器件及其制造方法

　　67、一种提高沟槽型VDMOS栅氧层击穿电压的方法

　　68、一种提高沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法

　　69、抑制寄生晶体管开启的VDMOS结构及其制造方法

　　70、一种VDMOS的 PN结用染色溶液及其使用方法

　　71、VDMOS场效应晶体管及其形成方法

　　72、一种提高沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法

　　73、一种测定沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法

　　74、一种具有抗辐照性能的VDMOS器件制造方法

　　75、一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构

　　76、一种VDMOS器件元胞结构及其制作方法

　　77、低导通电阻VDMOS器件及制备方法

　　78、一种VDMOS器件及其制造方法

　　79、一种VDMOS器件的条形元胞结构及其制作方法

　　80、多栅VDMOS晶体管及其形成方法

　　81、一种VDMOS器件及其终端结构的形成方法

　　82、VDMOS及其制造方法

　　83、VDMOS器件的制作方法

　　84、VDMOS器件制造方法

　　85、VDMOS器件及其制造方法

　　86、一种平面VDMOS器件及其制造方法

　　87、一种制作VDMOS的方法

　　88、VDMOS结构

　　89、增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件

　　90、一种屏蔽栅结构的VDMOS晶体管

　　91、平面型VDMOS晶体管及其制备方法

　　92、一种VDMOS管以及VDMOS管的制造方法

　　93、一种具有高维持电流的环形VDMOS结构的ESD保护器件

　　94、一种具有P型辅助埋层的半超结VDMOS

　　95、一种集成VDMOS芯片及其制作方法

　　96、优化体二极管反向恢复特性的超结VDMOS及制备方法

　　97、一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件

　　98、一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法

　　99、一种新型结构的VDMOS器件及其制造方法

　　100、一种VDMOS晶体管及其制备方法

　　101、双栅极VDMOS器件

　　102、双栅极捆扎的VDMOS器件

　　103、半导体结构的形成方法以及VDMOS晶体管的形成方法

　　104、具有超薄源区的槽栅VDMOS器件的制备方法

　　105、一种动态电荷平衡的超结VDMOS器件

　　106、一种具有复合栅介质结构的SiC VDMOS器件

　　107、一种抗单粒子辐照的超结VDMOS器件

　　108、耗尽型VDMOS及其制造方法

　　109、一种能够有效防止电荷失衡的超结VDMOS器件

　　110、一种VDMOS器件及其制作方法

　　111、终端为OS的高压VDMOS管

　　112、高压VDMOS器件结构及其制造方法

　　113、具有屏蔽栅的VDMOS器件及其制备方法

　　114、具有屏蔽栅的VDMOS结构及其制备方法

　　115、一种具有应变结构的VDMOS器件及其制备方法

　　116、具有自对准金属硅化物工艺的双栅VDMOS的制备方法

　　117、VDMOS器件及其制造方法

　　118、一种VDMOS晶体管

　　119、一种背面嵌入应变介质区的VDMOS器件及其制备方法

　　120、一种具有非均匀浮岛结构的VDMOS器件

　　121、具有横向P-I-N结构的超结VDMOS的制备方法

　　122、一种具有温度采样和过温保护功能的复合VDMOS器件

　　123、一种VDMOS器件及其的形成方法

　　124、VDMOS器件及其制作方法

　　125、VDMOS晶体管结构及其形成方法

　　126、半导体器件及形成方法、VDMOS晶体管及形成方法

　　127、超结VDMOS器件及其制造方法

　　128、VDMOS器件的形成方法

　　129、N型超结VDMOS中多晶硅P型柱的形成方法

　　130、N型超结VDMOS中P型柱的形成方法

　　131、一种低压埋沟VDMOS器件

　　132、一种极低导通电阻浅槽埋沟VDMOS器件

　　133、VDMOS晶体管兼容OS晶体管及其制作方法

　　134、一种应用于VDMOS器件的静电放电保护结构

　　135、高压VDMOS器件结构及其制造方法

　　136、一种Super Junction VDMOS器件

　　137、VDMOS器件版图结构及其制作方法

　　138、VDMOS晶体管测试结构

　　139、基于应变硅技术的P沟VDMOS器件

　　140、一种VDMOS及其制造方法

　　141、制备超结VDMOS器件的方法

　　142、防止VDMOS管二次击穿的方法

　　143、一种VDMOS器件

　　144、低导通阻抗功率场效应管VDMOS的制作方法

　　145、低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法

　　146、6″VDMOS管用硅外延片的制造方法

　　147、采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺

　　148、一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺

　　149、可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法

　　150、一种超结VDMOS器件

　　151、一种超结终端的VDMOS结构

　　152、一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构

　　153、一种减小输入电容的VDMOS器件结构

　　154、一种减小开关时间的VDMOS器件版图结构

　　155、一种具有高维持电流的环形VDMOS结构的ESD保护器件

　　156、一种优化栅N沟道VDMOS功率器件

　　157、一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件

　　158、一种新型结构的VDMOS器件

　　159、一种VDMOS场效应晶体管优化结构

　　160、一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽

　　161、高性能大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构

　　162、高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构

　　163、耗尽型VDMOS

　　164、一种保护栅源电极与栅漏电极的VDMOS功率器件

　　165、一种低栅电容VDMOS功率器件

　　166、一种VDMOS栅源侧台保护功率器件

　　167、一种磁敏VDMOS器件

　　168、一种N沟道中压大电流VDMOS器件结构

　　169、一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件

　　170、采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件

　　171、可集成的高压VDMOS晶体管结构

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